Tea Time学术活动系列邀请报告（253）

　　报告题目：InGaAs/InAlAs 雪崩光电探测器的研制及其应用

　　报告人：赵彦立（武汉光电国家研究中心）

　　时间：4月28日（星期一）15:00-16:00

　　地点：理学院1-401

　　报告摘要：近年来，伴随着智能驾驶技术、量子保密通信、3D成像及空天一体化通信等应用领域的不断发展，高速雪崩光电探测器（APD）逐渐成为研究热点。InGaAs/InP及InGaAs/InAlAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)是近红外光探测系统的核心芯片。经长期积累，已报道的InGaAs/InP SPAD展示出实用性强、可靠性高等优势，是目前商用近红外单光子探测的主流选择。但值得思考的是，InGaAs/InAlAs APD具有更大的增益-带宽积，更能满足“高速”光探测系统的需求。本报告报道了汇报人课题组在“高速”InGaAs/InAlAs APD的优化设计和研制方面的近期进展，探讨了其在智能驾驶用激光雷达、单光子探测、光计数通信及X-Ray探测等领域的实际应用。

　　报告人简介：

　　赵彦立，博士，教授，博士生导师，武汉光电国家研究中心研究员。2002 年7月在浙江大学获得博士学位。2002 年7月-2004年12月在武汉邮电科学研究院（武汉电信器件有限公司，WTD）工作，主要从事通信用光探测器的研究；2004 年12月-2006年12月于（日本）名古屋大学量子工程系/Venture Business Laboratory（VBL）从事博士后研究工作。2006年12月年作为引进人才受聘于华中科技大学/武汉光电国家研究中心任副教授、教授至今。在 IEEE/Optica Journal of Lightwave Technology、IEEE Sensor Journal、Optics Express, IEEE Electron Device Letters 等国际知名杂志发表论文50余篇，授权专利20余项，包括2项美国专利。